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Référence fabricant | SS34-3HE3/9AT |
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Numéro de pièce future | FT-SS34-3HE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS34-3HE3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS34-3HE3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS34-3HE3/9AT-FT |
IRD3901
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3901R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3902
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3903
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3903R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3909
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3909R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3910
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3910R
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRD3911
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel