maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS32-M3/9AT
Référence fabricant | SS32-M3/9AT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SS32-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS32-M3/9AT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMC) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS32-M3/9AT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS32-M3/9AT-FT |
RS3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5VQ100C
Xilinx Inc.
10M04SAU169C8G
Intel
10AX027H4F35E3LG
Intel
10M50SAE144I7G
Intel
XC6SLX4-2CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F780C4L
Intel
EPF10K50EQC208-1N
Intel