maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SS275TI12205
Référence fabricant | SS275TI12205 |
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Numéro de pièce future | FT-SS275TI12205 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS275TI12205 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 3 Independent |
Type de diode | Silicon Carbide Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.8V @ 5A |
La vitesse | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 0ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | DE275 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS275TI12205 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS275TI12205-FT |
CPT400100D
Microsemi Corporation
CPT400100A
Microsemi Corporation
CPT400100
Microsemi Corporation
CPT30090
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CPT30060
Microsemi Corporation
CPT30050
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CPT30045
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CPT30040
Microsemi Corporation
CPT20145
Microsemi Corporation
CPT30145
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel