maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS22SHE3_B/I
Référence fabricant | SS22SHE3_B/I |
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Numéro de pièce future | FT-SS22SHE3_B/I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS22SHE3_B/I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 130pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS22SHE3_B/I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS22SHE3_B/I-FT |
RS1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A50T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX16P-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84A
Microsemi Corporation
10AX115U2F45E2SG
Intel
10M04SCM153I7G
Intel
EP2AGX190FF35I5G
Intel
EP3SL50F780C3
Intel
EP20K100CQ240C7ES
Intel
EP1SGX25DF1020C7N
Intel