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Référence fabricant | SS1H10-M3/61T |
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Numéro de pièce future | FT-SS1H10-M3/61T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS1H10-M3/61T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 860mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS1H10-M3/61T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS1H10-M3/61T-FT |
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFBHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFBHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFDHM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation