maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SS13LHM2G
Référence fabricant | SS13LHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-SS13LHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS13LHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 500mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS13LHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS13LHM2G-FT |
S1GL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL RVG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GLHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel