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Référence fabricant | SS12L RHG |
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Numéro de pièce future | FT-SS12L RHG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SS12L RHG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 450mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12L RHG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS12L RHG-FT |
S1DL MHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL MTG
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S1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RHG
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S1DLHM2G
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S1DLHMHG
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S1DLHMQG
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S1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
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Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
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XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
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EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
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5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel