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Référence fabricant | SS12LHM2G |
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Numéro de pièce future | FT-SS12LHM2G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SS12LHM2G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 450mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 400µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS12LHM2G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS12LHM2G-FT |
S1DL MTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DL RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHMQG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRFG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1DLHRHG
Taiwan Semiconductor Corporation
S1GL M2G
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LCMXO2-7000ZE-1TG144C
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A54SX16A-1FG144
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M2GL010TS-1FG484I
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APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
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10M08DAF484C7G
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EP4SE530H40I3
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LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel