maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / SS10P4C-M3/86A
Référence fabricant | SS10P4C-M3/86A |
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Numéro de pièce future | FT-SS10P4C-M3/86A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
SS10P4C-M3/86A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 40V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 530mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 550µA @ 40V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277A (SMPC) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS10P4C-M3/86A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SS10P4C-M3/86A-FT |
VFT2080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT2080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3060G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3080C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT3080C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT30L60C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VFT30L60C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel