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Référence fabricant | SRT12 A0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRT12 A0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SRT12 A0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | T-18, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | TS-1 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRT12 A0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRT12 A0G-FT |
SFT17G A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT17G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT17GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT17GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT17GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT18G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT18G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT18GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT18GHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFT18GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel