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Référence fabricant | SRN2010-2R2M |
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Numéro de pièce future | FT-SRN2010-2R2M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SRN2010 |
SRN2010-2R2M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 1.7A |
Courant - Saturation | 2A |
Blindage | Semi-Shielded |
Résistance DC (DCR) | 170 mOhm Max |
Q @ Freq | 14 @ 1MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.040" (1.02mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRN2010-2R2M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRN2010-2R2M-FT |
SRP4012TA-8R2M
Bourns Inc.
SRP4012TA-R22M
Bourns Inc.
SRP4012TA-R36M
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SRP2512-2R2M
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SRP2512-1R0M
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SRP2010-2R2M
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SRP2010-1R0M
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SRP2010-R24M
Bourns Inc.
EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
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XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
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A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
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XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
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EP2AGZ350FF35I3N
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