maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SRAF830HC0G
Référence fabricant | SRAF830HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRAF830HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRAF830HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRAF830HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRAF830HC0G-FT |
SF1602GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1603G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1603GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel