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Référence fabricant | SRA8100HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-SRA8100HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SRA8100HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SRA8100HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SRA8100HC0G-FT |
GPA801 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA801HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA802HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA803 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA803HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA804 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA804HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA806 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GPA806HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
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5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
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5SGSMD3H2F35I2LN
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