maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SR810HB0G
Référence fabricant | SR810HB0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR810HB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SR810HB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR810HB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR810HB0G-FT |
SF62G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF62GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF63GHA0G
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SF63GHB0G
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SF64G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF64G B0G
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SF64GHA0G
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XC3SD3400A-4CSG484LI
Xilinx Inc.
XC3S200AN-5FTG256C
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5CEFA5U19C7N
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10AX115U4F45I3SG
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