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Référence fabricant | SR303 R0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR303 R0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SR303 R0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 3A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 3A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR303 R0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR303 R0G-FT |
SF67GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF67GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF68G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF68GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF68GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H45 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK12H60 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1202 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1202 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1202HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel