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Référence fabricant | SR1203 B0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR1203 B0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SR1203 B0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 30V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR1203 B0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR1203 B0G-FT |
P2500MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF33G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel