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Référence fabricant | SR1202HB0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR1202HB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SR1202HB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -50°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR1202HB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR1202HB0G-FT |
P2500M A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
P2500MHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF31GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF32GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
APA075-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
10M25SAE144C8G
Intel
XC4008E-1PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FFG1930I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQG100
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-1300E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EPF10K30ABC356-4
Intel