maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / SR002HB0G
Référence fabricant | SR002HB0G |
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Numéro de pièce future | FT-SR002HB0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SR002HB0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 550mV @ 500mA |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-204AL, DO-41, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-204AL (DO-41) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 125°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR002HB0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SR002HB0G-FT |
BA157GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA157GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
BA158GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR101G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR102G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
FR102G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
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EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
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5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
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XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel