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Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3

Name: SQS966ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQS966ENW-T1_GE3
Price: 0.342432 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (182 reviews)

Numéro de pièce MFG: SQS966ENW-T1_GE3

quantité disponible: 39550 Pièces

Prix de référence: USD 0.342432

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 60V

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SQS966ENW-T1_GE3.pdf

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SQS966ENW-T1_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SQS966ENW-T1_GE3
Numéro de pièce future	FT-SQS966ENW-T1_GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQS966ENW-T1_GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET	Standard
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	36 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	8.8nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	572pF @ 25V
Puissance - Max	27.8W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8W
Package d'appareils du fournisseur	PowerPAK® 1212-8W
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQS966ENW-T1_GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SQS966ENW-T1_GE3-FT

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