maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQS423EN-T1_GE3
Référence fabricant | SQS423EN-T1_GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQS423EN-T1_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQS423EN-T1_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1975pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 62.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PowerPAK® 1212-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® 1212-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQS423EN-T1_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQS423EN-T1_GE3-FT |
SIE830DF-T1-E3
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SIE830DF-T1-GE3
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SIE832DF-T1-E3
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LCMXO1200E-5T144C
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A1020B-2PQ100C
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XC6SLX9-2FT256I
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A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
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EP3CLS70U484I7
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EP4CE10E22C9L
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LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel