maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQM120N06-06_GE3
Référence fabricant | SQM120N06-06_GE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SQM120N06-06_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
SQM120N06-06_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6495pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 230W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D²Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM120N06-06_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQM120N06-06_GE3-FT |
SIR401DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR403EDP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR406DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR408DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR412DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR416DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR418DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR424DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR432DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation