maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SQM120N04-1M9_GE3
Référence fabricant | SQM120N04-1M9_GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQM120N04-1M9_GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SQM120N04-1M9_GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 270nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8790pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQM120N04-1M9_GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQM120N04-1M9_GE3-FT |
SIR330DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
SIR401DP-T1-GE3
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SIR403EDP-T1-GE3
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SIR406DP-T1-GE3
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SIR412DP-T1-GE3
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SIR414DP-T1-GE3
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SIR416DP-T1-GE3
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SIR418DP-T1-GE3
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SIR424DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel