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Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_GE3

Numéro de pièce MFG
SQJ570EP-T1_GE3
quantité disponible
94560 Pièces
Prix de référence
USD 0.41984
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SQJ570EP-T1_GE3.pdf
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SQJ570EP-T1_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SQJ570EP-T1_GE3
Numéro de pièce future FT-SQJ570EP-T1_GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQJ570EP-T1_GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N and P-Channel
Caractéristique FET Standard
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Puissance - Max 27W
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur PowerPAK® SO-8 Dual
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQJ570EP-T1_GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SQJ570EP-T1_GE3-FT

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