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Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3

Name: SQD50N10-8M9L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQD50N10-8M9L_GE3
Price: 0.61776 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (223 reviews)

Numéro de pièce MFG: SQD50N10-8M9L_GE3

quantité disponible: 44220 Pièces

Prix de référence: USD 0.61776

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Vishay Siliconix

Brève description: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHAN 100V TO252

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SQD50N10-8M9L_GE3.pdf

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SQD50N10-8M9L_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant	SQD50N10-8M9L_GE3
Numéro de pièce future	FT-SQD50N10-8M9L_GE3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQD50N10-8M9L_GE3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	50A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQD50N10-8M9L_GE3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SQD50N10-8M9L_GE3-FT

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