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Référence fabricant | SQCB7M1R8BAJWE |
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Numéro de pièce future | FT-SQCB7M1R8BAJWE |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SQ |
SQCB7M1R8BAJWE Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1.8pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 500V |
Coéfficent de température | M |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1111 (2828 Metric) |
Taille / Dimension | 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.102" (2.59mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQCB7M1R8BAJWE Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQCB7M1R8BAJWE-FT |
SQCB7M0R4BAJWE
AVX Corporation
SQCB7M0R4BAT1A
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XC6SLX16-L1FT256I
Xilinx Inc.
M2GL010-FG484
Microsemi Corporation
AX500-1FG484M
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE55F23C7
Intel
A42MX09-PQ160A
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-7LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34E2SG
Intel
EP2C70F896C8N
Intel