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Référence fabricant | SQCB7M1R6BATME |
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Numéro de pièce future | FT-SQCB7M1R6BATME |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SQ |
SQCB7M1R6BATME Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1.6pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 500V |
Coéfficent de température | M |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 1111 (2828 Metric) |
Taille / Dimension | 0.110" L x 0.110" W (2.79mm x 2.79mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.102" (2.59mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQCB7M1R6BATME Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQCB7M1R6BATME-FT |
SQCB7M0R3BAT1A
AVX Corporation
SQCB7M0R3BATME
AVX Corporation
SQCB7M0R3CATME
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SQCB7M0R4BAJME
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A1425A-PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG1152I
Microsemi Corporation
EP1K10TC100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
EP3SE260F1152C3N
Intel
XC5VFX130T-2FFG1738C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF35C4N
Intel
EP1S30F780I6N
Intel