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SQ4182EY-T1_GE3 Image

Vishay Siliconix SQ4182EY-T1_GE3

Numéro de pièce MFG
SQ4182EY-T1_GE3
quantité disponible
92680 Pièces
Prix de référence
USD 0.62976
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SQ4182EY-T1_GE3.pdf
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SQ4182EY-T1_GE3 Caractéristiques

Référence fabricant SQ4182EY-T1_GE3
Numéro de pièce future FT-SQ4182EY-T1_GE3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
SQ4182EY-T1_GE3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5400pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 7.1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-SOIC
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SQ4182EY-T1_GE3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SQ4182EY-T1_GE3-FT

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