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Référence fabricant | SQ2319ES-T1-GE3 |
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Numéro de pièce future | FT-SQ2319ES-T1-GE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchFET® |
SQ2319ES-T1-GE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 620pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SQ2319ES-T1-GE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SQ2319ES-T1-GE3-FT |
BSS315PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS316NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS316NL6327HTSA1
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BSS670S2L
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BSS670S2LL6327HTSA1
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BSS7728N
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BSS7728NH6327XTSA1
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BSS7728NL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS806NL6327HTSA1
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BSS83PE6327
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel