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Référence fabricant | SPW16N50C3FKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPW16N50C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPW16N50C3FKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 560V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW16N50C3FKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPW16N50C3FKSA1-FT |
SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
IPSA70R750P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R450P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPSA70R900P7SAKMA1
Infineon Technologies
IPS80R750P7AKMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel