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Référence fabricant | SPW16N50C3FKSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPW16N50C3FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPW16N50C3FKSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 560V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 675µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPW16N50C3FKSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPW16N50C3FKSA1-FT |
SPA07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
SPA04N60C3XKSA1
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IPSA70R750P7SAKMA1
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IPS80R750P7AKMA1
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A54SX32-TQG144I
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M7A3P1000-1FGG256I
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LFE5UM5G-45F-8BG554I
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A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
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AGLP060V5-CS289
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A54SX32A-2TQG100I
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10AX115N3F40I3SGES
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