maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPU02N60C3BKMA1
Référence fabricant | SPU02N60C3BKMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SPU02N60C3BKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
SPU02N60C3BKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 80µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 25W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPU02N60C3BKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPU02N60C3BKMA1-FT |
BSZ050N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ050N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ058N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ0901NSATMA1
Infineon Technologies
BSZ100N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3EGATMA1
Infineon Technologies
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSZ150N10LS3GATMA1
Infineon Technologies
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel