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Infineon Technologies SPU01N60C3BKMA1

Numéro de pièce MFG
SPU01N60C3BKMA1
quantité disponible
37150 Pièces
Prix de référence
USD 0.984
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SPU01N60C3BKMA1.pdf
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SPU01N60C3BKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant SPU01N60C3BKMA1
Numéro de pièce future FT-SPU01N60C3BKMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
SPU01N60C3BKMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 800mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 11W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPU01N60C3BKMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SPU01N60C3BKMA1-FT

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