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Infineon Technologies SPP18P06PHXKSA1

Name: SPP18P06PHXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPP18P06PHXKSA1
Price: 1.192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (19 reviews)

Numéro de pièce MFG: SPP18P06PHXKSA1

quantité disponible: 11950 Pièces

Prix de référence: USD 1.192

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: SPP18P06PHXKSA1.pdf

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SPP18P06PHXKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	SPP18P06PHXKSA1
Numéro de pièce future	FT-SPP18P06PHXKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	SIPMOS®
SPP18P06PHXKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	860pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	81.1W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPP18P06PHXKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	SPP18P06PHXKSA1-FT

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