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Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1

Numéro de pièce MFG
SPB80P06PGATMA1
quantité disponible
90080 Pièces
Prix de référence
USD 1.53988
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
Infineon Technologies
Brève description
SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 80A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
SPB80P06PGATMA1.pdf
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SPB80P06PGATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant SPB80P06PGATMA1
Numéro de pièce future FT-SPB80P06PGATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SIPMOS®
SPB80P06PGATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 173nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5033pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 340W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TO263-3-2
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
SPB80P06PGATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange SPB80P06PGATMA1-FT

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