maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SPB80N03S203GATMA1
Référence fabricant | SPB80N03S203GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-SPB80N03S203GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
SPB80N03S203GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 80A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7020pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO263-3-2 |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SPB80N03S203GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SPB80N03S203GATMA1-FT |
NP82N04PDG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP82N055PUG-E1-AY
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NP83P04PDG-E1-AY
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NP83P06PDG-E1-AY
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NP88N03KDG-E1-AY
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NP88N055KUG-E1-AY
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NP88N075KUE-E1-AY
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NTB125N02R
ON Semiconductor
NTB125N02RG
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XCV50-6TQ144C
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LCMXO2-256HC-4SG32C
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LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
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5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation