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Référence fabricant | SMCJ8.0AHE3/57T |
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Numéro de pièce future | FT-SMCJ8.0AHE3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
SMCJ8.0AHE3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8V |
Tension - Panne (Min) | 8.89V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 13.6V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 110.3A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB (SMCJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCJ8.0AHE3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCJ8.0AHE3/57T-FT |
SMCJ20AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ22A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ22A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ22A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ22AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMCJ24AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel