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Référence fabricant | SMCG10A-M3/57T |
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Numéro de pièce future | FT-SMCG10A-M3/57T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMCG10A-M3/57T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 10V |
Tension - Panne (Min) | 11.1V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 88.2A |
Puissance - Peak Pulse | 1500W (1.5kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-215AB, SMC Gull Wing |
Package d'appareils du fournisseur | DO-215AB (SMCG) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMCG10A-M3/57T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMCG10A-M3/57T-FT |
SM8S15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S15HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16A-7001HE4/2N
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S16HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17A-001HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM8S17AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel