maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMBJ11D-M3/H
Référence fabricant | SMBJ11D-M3/H |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMBJ11D-M3/H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMBJ11D-M3/H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 11V |
Tension - Panne (Min) | 12.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 17.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 33.5A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMBJ) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMBJ11D-M3/H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMBJ11D-M3/H-FT |
SM6T220AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T22AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T22AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T24AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T24AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T27AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T27AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T30AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T30AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM6T33AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
LAXP2-8E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S50AN-4FT256C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL50F484C4N
Intel
EP4CE22F17C9L
Intel
5SEEBF45I3L
Intel
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
M1A3P1000-1FGG144M
Microsemi Corporation
EPF10K10AQC208-3N
Intel