maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMB10J7.5A-E3/52
Référence fabricant | SMB10J7.5A-E3/52 |
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Numéro de pièce future | FT-SMB10J7.5A-E3/52 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMB10J7.5A-E3/52 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 7.5V |
Tension - Panne (Min) | 8.33V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 12.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 77.5A |
Puissance - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMB10J7.5A-E3/52 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMB10J7.5A-E3/52-FT |
TPSMB13AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB15AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB16AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB16AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB18AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB18AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB20AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB20AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-5TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-3TG100IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
APA600-BGG456M
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC484-3N
Intel
EP2C15AF256C8N
Intel
5AGXMA1D4F27C5N
Intel
EP2SGX30CF780C3
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel