maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMB10J6.0A-E3/5B
Référence fabricant | SMB10J6.0A-E3/5B |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-SMB10J6.0A-E3/5B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMB10J6.0A-E3/5B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 6V |
Tension - Panne (Min) | 6.67V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 10.3V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 97.1A |
Puissance - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMB10J6.0A-E3/5B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMB10J6.0A-E3/5B-FT |
TPSMB10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB11AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB12AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB13AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB15AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB15AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB16AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K20TI144-4N
Intel
M2GL050-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF672C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
A42MX09-2TQ176
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HC-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3SGES
Intel
5SGSMD3H1F35C2N
Intel