maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMB10J30A-E3/5B
Référence fabricant | SMB10J30A-E3/5B |
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Numéro de pièce future | FT-SMB10J30A-E3/5B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TransZorb® |
SMB10J30A-E3/5B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.3V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 20.7A |
Puissance - Peak Pulse | 1000W (1kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AA (SMB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMB10J30A-E3/5B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMB10J30A-E3/5B-FT |
SMB10J7.5AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J7.5AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J8.0AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J8.0AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J8.5AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J8.5AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J9.0AHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB10J9.0AHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB10AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMB10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel