maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux / SMA6010
Référence fabricant | SMA6010 |
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Numéro de pièce future | FT-SMA6010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SMA6010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 4A |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 6mA, 3A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 100µA (ICBO) |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 3A, 4V |
Puissance - Max | 4W |
Fréquence - Transition | 75MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 12-SIP |
Package d'appareils du fournisseur | 12-SIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMA6010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMA6010-FT |
MMDT4403-7
Diodes Incorporated
MMDT4413-7
Diodes Incorporated
MMDT5401-7
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MMDT5451-7
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MMDT5551-7
Diodes Incorporated
ZXTD1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTD2M832TA
Diodes Incorporated
ZXTD3M832TA
Diodes Incorporated
ZXTDA1M832TA
Diodes Incorporated
ZXTDAM832TA
Diodes Incorporated
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXEA5N2F45C3N
Intel
EP4S100G4F45I3
Intel
XC5VLX50-2FF676I
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-7LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S60B956C6N
Intel
EPF10K200SBI356-2
Intel