maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMA4S30AH
Référence fabricant | SMA4S30AH |
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Numéro de pièce future | FT-SMA4S30AH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SMA4S30AH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 30V |
Tension - Panne (Min) | 33.5V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 48.7V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 8.2A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-128 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMA4S30AH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMA4S30AH-FT |
TPSMC33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC36AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC36AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC36AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC36AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC36HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-N3FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-1FFVA1156C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
10AX048E3F29E2LG
Intel
EP3C25E144C7
Intel
EP3C5E144C7
Intel
EP3SE110F1152C4LN
Intel
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19C6N
Intel