maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SMA4S12AH
Référence fabricant | SMA4S12AH |
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Numéro de pièce future | FT-SMA4S12AH |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SMA4S12AH Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 12V |
Tension - Panne (Min) | 13.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 19.5V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 20.5A |
Puissance - Peak Pulse | 400W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-128 |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-128 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SMA4S12AH Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SMA4S12AH-FT |
TPSMC30AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC30HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
TPSMC33AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation