maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S16A-E3/2D
Référence fabricant | SM6S16A-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S16A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM6S16A-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 16V |
Tension - Panne (Min) | 17.8V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 177A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S16A-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S16A-E3/2D-FT |
SM5S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S14A-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF6016ATC144-2
Intel
LFXP6E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S6-1FTGB196C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEABN1F45C2LN
Intel
5SGXEA5K2F35I2LN
Intel
XC6VLX75T-2FF784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000ZE-3MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23A7N
Intel
EPF10K30EQC208-2
Intel