maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S15HE3/2D
Référence fabricant | SM6S15HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S15HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S15HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 16.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 26.9V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 171A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S15HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S15HE3/2D-FT |
SM5S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S13HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C120F484C7N
Intel
EP4SE530F43C4ES
Intel
XC6SLX25-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M02DCU324I7G
Intel
10M16DAU324I7G
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel