maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S15A-E3/2D
Référence fabricant | SM6S15A-E3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S15A-E3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PAR® |
SM6S15A-E3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 15V |
Tension - Panne (Min) | 16.7V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 24.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 189A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S15A-E3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S15A-E3/2D-FT |
SM5A27HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S12HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel