maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / SM6S14HE3/2D
Référence fabricant | SM6S14HE3/2D |
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Numéro de pièce future | FT-SM6S14HE3/2D |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
SM6S14HE3/2D Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 14V |
Tension - Panne (Min) | 15.6V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 25.8V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 178A |
Puissance - Peak Pulse | 4600W (4.6kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | Automotive |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-218AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-218AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SM6S14HE3/2D Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SM6S14HE3/2D-FT |
SM6A27THE3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27-E3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5A27HE3/2E
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S10HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SM5S11HE3/2D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQG80A
Microsemi Corporation
AGLE3000V2-FG484I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484C6
Intel
EP4SE820F43I3
Intel
XC5VLX30-2FF324I
Xilinx Inc.
XC2VP40-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation