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Référence fabricant | SL02-GS18 |
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Numéro de pièce future | FT-SL02-GS18 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | eSMP® |
SL02-GS18 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1.1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 420mV @ 1.1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 10ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 250µA @ 20V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | DO-219AB (SMF) |
Température de fonctionnement - Jonction | 125°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SL02-GS18 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SL02-GS18-FT |
SL04-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1F4HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL3-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FL4-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S07M-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1F4-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FH6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel