maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / SK8403170L
Référence fabricant | SK8403170L |
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Numéro de pièce future | FT-SK8403170L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
SK8403170L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Ta), 59A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 2.56mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2940pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2W (Ta), 24.6W (Tc) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | HSSO8-F1-B |
Paquet / caisse | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK8403170L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SK8403170L-FT |
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A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
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A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
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EP3C10F256I7
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LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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10AX066K1F35E1SG
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