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Référence fabricant | SK29AHR3G |
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Numéro de pièce future | FT-SK29AHR3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
SK29AHR3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AC, SMA |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AC (SMA) |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SK29AHR3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | SK29AHR3G-FT |
RS2KAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
RS2MAHR3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
S2JA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SK310A R3G
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SK315A R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
SS15 R3G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSD1G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSD1GH
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel